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　　109厂建厂初期，半导体专业人才匮乏，仅有从美国归来的王守武、林兰英和国内的王守觉等几名专家和极少数科技骨干，更没有生产半导体晶体管的技术工人。针对此种状况，中国科学院一方面向提出申请，调来一批部队复员转业军人，作为工厂的骨干队伍；另一方面，将从地方招收的一批初中高中毕业生送到在北京西苑新创办的科技学校，进行短期培训。以这两部分人员为基础，组建成近200人的109厂。从建厂到1960年10月，仅用了两年时间，就圆满完成任务，共研制生产了合格的锗二极管、三极管计12个品种、14.5万多只，为“109乙”机进行组装调试提供了重要保证，为新中国第一台锗晶体管计算机“109乙”机的研制成功作出了重要贡献。

　　上世纪50年代末，中国科学院受国家有关部委的委托，研制生产专用的微型数字计算机，科学院决定从计算所、物理所、电子所等单位抽调力量组建“156”工程处（后为航天航空工业部771研究所）。该项任务得到了中国科学院领导的大力支持。1965年8月8日，中国科学院在科学会堂召开关于“156”工程研制工作和“156”工程后方建设的专题会议，由张劲夫亲自主持。会议对整个工程进度的要求是：1966年研制出“156”模型机，1967年完成初样，1968年完成正样，1969年开始批量生产8台。

　　1966年8月，我国第一台自行设计、用于空间技术的集成电路计算机研制成功，国庆节前向国务院报喜，得到了周恩来总理的表扬。为了使整机能承受太空环境考验（-45℃~ +85℃温度范围）和贮存5年的要求，技术人员做了许多试验，于1967年开始提供整机用电路。到1970年8月，109厂共完成了8台“156”计算机所需的混合单块集成电路3万余块及晶体管芯片4万余个。与此同时，受中国科学院自动化所委托，为541机研制和生产了NPN平面型低频功率开关管、闸流管等器件。

　　1975年8月，国务院下达了“757”工程任务。“757”工程是每秒运算千万次的大型向量计算机系统。中国科学院计算所承担计算机系统的设计研制及有关课题的研究工作，109厂主要承担“757”工程主机运控部分及外部设备所需的超高速ECL-D系列和高速STTL-E数字逻辑集成电路的研制生产任务。在“757”工程的攻关中，109厂建立了一套稳定而成熟的制造超高速集成电路工艺技术。到1980年底，为“757”计算机研制生产了30多个品种、共30余万块ECL和TTL集成电路。ECL-D系列超高速数字逻辑集成电路1978年获全国科学大会奖和中国科学院重大科研成果奖。

　　为适应生产的要求，必须不断对集成电路的研制生产设备进行革新完善，以推动行业的技术进步。1966年，109厂与上海光学仪器厂合作，研制成功我国第一台65型接触式光刻机，由上海无线电专用设备厂进行生产并向全国推广，该机于1978年荣获中国科学院重大科技成果奖。同年，109厂与上海无线厂合作，在国内首先研制成功超声波铝丝压焊机，由上海无线厂抽调人员成立了上海超声波仪器厂生产该机器供应全国。1969年，109厂曾与丹东精密仪器厂合作，研制成功全自动步进重复照相机，套刻精度达3微米，后由北京700厂批量生产，供应全国使用。

　　微电子中心成立以来，长期面向国家微电子领域持续发展的重大科技需求，进行微电子学、超细微和超薄技术、计算机辅助集成电路设计研究；承担和完成了多项国家重点项目，获得国家、中国科学院和其他部级成果数十项；成为微电子科技领域一个不可替代的科研基地和知识、技术创新的重要源头，为我国微电子及相关产业的持续发展作出了应有的贡献。其间，中心根据中国科学院部署，进行大胆改革，使科研、生产体制逐渐转变，使单位焕发了新生。

　　此后的几年中，作为中国科学院知识创新工程的试点单位，微电子中心根据国家和行业发展的需求再次对研究方向进行了凝练，主要在以下七个方面取得了进展：一是深亚微米集成电路关键工艺技术，通过试点研究，形成一组具有自主知识产权并规范化的新工艺模块。如金属硅化物，薄栅氧化等主流工艺模块，为国家急需的高档专用集成电路开发服务。二是特种SOI/CMOS集成电路技术。该项目利用研究成功的特种集成电路设计与制造技术，研制出一批特种专用集成电路，满足了国内多方面的需要。三是基于“IP”库的专用集成电路设计，通过该项目的研究，建成基于0.5/0.35m IC工艺的IP库，掌握基于“IP”库的ASIC设计方法，面向用户，设计开发出通讯、计算机外设及家电等领域内急需的十万到百万门规模的专用集成电路，在设计周期上实现了与国际接轨。四是高性能专用集成电路设计。通过该项目的实施，研究成功高性能IC设计方法及单元库，并根据用户需求，设计开发高性能DSP芯片及其他 专用IC芯片。五是深亚微米微细加工技术。该项目研究成功成套亚50nm的微细加工技术，并成功应用到纳米尺度CMOS器件、新结构化合物半导体器件、毫米波器件及声表面波器件的研制。研究成果获得国家发明奖二等奖和北京市科技进步奖一、二等奖，对提高我国top-down 纳米加工的国际影响力有重要意义，同时对构建我国自主知识产权纳米加工专利库奠定了良好基础。六是化合物半导体器件与电路。该项目利用研制成功的光通信用化合物半导体器件与关键功能集成部件，为光纤通信和无线通信产业的发展作出了贡献。七是微电子新设备和新技术的研究，推广“八五”和“九五”国家重点科技攻关有关深亚微米刻蚀技术的成果并坚持自主创新之路，不断研发先进的等离子体微细加工（ICP / PECVD / SPUTTER等）新设备和新技术，为我国半导体与集成电路的科研生产服务。